B1505A Agilent パワーデバイス・アナライザ/カーブトレーサ

概要と特徴

幅広い動作条件にわたる高精度測定

● 最大 1500 A & 10 kV のパワーデバイス特性評価のためのオールインワン ソリューション

● 高電圧バイアスによる中電流測定 (例: 1200 V で 500 mA)

●μΩオン抵抗測定機能

● 高電圧バイアス時の正確なサブピコアンペアレベルの電流測定

● -50 度からプラス 250 度までの完全自動熱試験

広範なデバイス評価機能

● 最大 3000 V の DC バイアスでの完全自動静電容量 (Ciss、Coss、Crss など) 測定

● 最小10μsのハイパワーパルス測定

● パッケージ化されたデバイスとオンウェーハ IGBT/FET のゲート電荷測定の両方

● GaN 電流コラプス効果を特徴付ける高電圧/大電流高速スイッチ オプション

● 最大 5 つの高電圧 (3 kV) ソース/測定チャンネルにより最大限の柔軟性を実現

● インターロック装備のテストフィクスチャによる安全な温度依存テスト

測定効率の向上

● リケーブルを必要とせずに高電圧測定と高電流測定を切り替えます。

● パッケージ化されたデバイスとオンウェーハデバイスの両方のトランジスタ接合容量 (Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds など) の自動テスト回路形成

● パッケージ化されたパワーデバイスの安全なテストのためのインターロック付きの標準テストフィクスチャ

● 200 A および最大 10 kV を超える安全なオンウェーハ高出力テストをサポート

● オシロスコープ表示により、印加電圧と電流の波形を確認できます。

● MS Windows ベースの EasyEXPERT ソフトウェアにより、データの管理と分析が容易になります。

アップグレード可能でスケーラブルなハードウェア アーキテクチャ

●豊富な測定モジュールの品揃え

● 最大 6 ピンのハイパワーデバイスをサポート

Keysight B1505Aパワー・デバイス・アナライザ/カーブ・トレー​​サは、サブピコアンペア・レベルから最大10 kVおよび1500 Aまでの高出力デバイスの特性を評価できる機能を備えた唯一のシングルボックス・ソリューションです。これらの機能により、次のような新しい新しいデバイスの評価が可能になります。 IGBTやGaN、SiCなどの材料が含まれます。 B1505A は、高電圧 SMU (HVSMU)、高電流 SMU (HCSMU)、超高電流 (UHC) モジュール、超高電圧 (UHV) モジュール、高電圧中電流 (HVMC) モジュールなど、さまざまなモジュールをサポートします。 B1505A は、高電力 SMU (1 A/200 V)、中電力 SMU (100 mA/100 V)、中電流 SMU (1 A/30 V パルス、100 mA/30 V DC)、およびマルチ周波数静電容量測定単位 (1 kHz – 5 MHz)。 10 スロットのモジュラーメインフレームにより、測定ニーズに合わせて B1505A を構成できます。

また、高電圧バイアス (最大 3000 V) での Ciss、Coss、Crss などの完全に自動化された静電容量測定も実行でき、高周波スイッチング コンバータ時代のもう 1 つの重要なパラメータであるゲート電荷を簡単に評価できます。 -50 度からプラス 250 度までの自動熱特性評価もサポートされています。

B1505A ソフトウェア環境は Microsoft® Windows® 10 オペレーティング システムに基づいており、ユーザーはカーブ トレーサの便利な機能を使用してデバイスの特性を確認し、デバイスの障害を検出できます。 従来のカーブトレーサと同様に、B1505A はロータリーノブ制御の可変掃引機能をサポートしています。 これにより、降伏電圧などのパラメータをリアルタイムで評価できます。 また、オペレータがデバイスに印加される電圧と電流を最適化するのを視覚的に支援する「オシロスコープ ビュー」もサポートされています。 測定セットアップ情報とデータは、B1505A の内蔵ハードディスクドライブに自動的に保存されます。 USB メモリ スティックやその他のポータブル ストレージ デバイスにコピーすることもできます。 測定データは、デバイス測定概要とともにエンジニアリング レポートに簡単にコピーできます。
堅牢なテスト フィクスチャ ソリューションは、(高電圧と高電流が発生するため) オペレータの安全を確保し、さまざまな種類のパワー デバイス パッケージをサポートするために重要です。 以前の従来のカーブ トレーサの制限は、一部のパワー デバイスはそのサイズのせいで評価できず、デバイスをテストするためにアダプタを調整する必要がある場合があるということでした。 ただし、B1505A のテスト フィクスチャは、サイズや形状に関係なく、パワー MOSFET、ダイオード、IGBT などのさまざまなデバイスを受け入れることができます。 これは、カスタマイズ可能なテスト フィクスチャ モジュールを備えた大型のテスト フィクスチャ アダプタによって実現されます。 さらに、テスト フィクスチャに組み込まれたインターロック メカニズムにより、高電圧と電流をテスト デバイスに安全に印加できることが保証されます。
Keysight は、既存の B1500A ユーザーが B1500A メインフレームを B1505A メインフレームに変換できるようにする変換キットを提供します。 これにより、現在の B1500A ユーザーは、既存の機器の電圧および電流測定機能を低コストで拡張できるようになります。

モジュール選択ガイド

 

測定リソース	必要なモジュール/エクスパンダ	必要なスロット	最大構成	主な仕様
ハイパワー SMU (HPSMU)	B1510A HPSMU	2	4	最大 200 V、1 A の力。 10 fAの電流分解能
中電力 SMU (MPSMU)	B1511B MPSMU	1	10	最大 100 V、100 mA の力、10 fA の電流分解能
高電流 SMU (HCSMU)	B1512A HCSMU	2	2	20A/20V (パルス); 1A/40V(DC) ※1
高電圧 SMU (HVSMU)	B1513C HVSMU	2	5	1500V/8mA; 3000V/4mA; (パルスおよびDC)
中電流 SMU (MCSMU)	B1514A MCSMU	1	6	1 A/30 V (パルス); 100mA/30V(DC)
多周波静電容量測定ユニット（MFCMU）	B1520A MFCMU	1	1	1kHz～5MHz。 0 ～ ±25 V、MFCMU 内部 DC バイアスを使用 0 ～ ±3000 V、HVSMU および高電圧バイアス T 字を使用
高電圧中電流ユニット (HVMCU)	N1266A HVSMU 電流エクスパンダ、 B1513B HVSMU および 2 つの B1514A MCSMU/B1512A HCSMU	4 - 6	1	±1500V/2.5A(パルス)、±2200V/1.1A(パルス)
超大電流ユニット (UHCU)	N1265A 超高電流エクスパンダ/フィクスチャ および 2 つの B1514A MCSMU/B1512A HCSMU	2 - 4	1	1500 A/60 V (パルス)、22.5 kW ピーク電力、 ±500 A / 60 V (パルス)、7.5 kW ピーク電力
超高電圧ユニット (UHVU)	N1268A 超高電圧エクスパンダ および 2 つの B1514A MCSMU または B1512A HCSMU の組み合わせ およびB1514A MCSMU	2 - 3	1	10kV/10mA(DC)、10kV/20mA(パルス)

※1. デュアル HCSMU 組み合わせアダプターを備えた 2 つの HCSMU を使用すると、電流範囲を 40 A/20 V (パルス) および 2 A/40 V (DC) に増やすことができます。

 

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